圣阳 ups蓄电池 GFMD-600C 铅酸免维护 2V600AH太阳能储能详细介绍

圣阳 ups蓄电池 GFMD-600C 铅酸免维护 2V600AH太阳能储能

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当采用IGBT进行高频整流时，也会出现与晶闸管同样的情况。因此、它的输入电压范围也不会比晶闸管宽，一旦掣住现象发生也将面临和晶闸管同样的命运，在设计时要充分考虑到这一点。为了避免IGBT出现住现象，在设计电路时应***IGBT中的电流不要超过Im,或者用加大门极电阻Rc的办法延长IGBT的关断时间，或减小重加dUns/dt值

IGBT的安全工作区。任何元器件都存在一个安全工作区，IGBT也不例外，它在开通与关断时也有安全区。在上例N型IGBT中，开通时为正向偏置，其安全区称为正向偏置安全工作区(FBSOA ),FBSOA 与其导通时间t密切相关，导通时间很短时FBSOA 为矩形区域，随着导通时间的加长，安全区的范围也逐渐缩小，直流(DC)工作时的范围最小。这是因为导通时间越长，发热越严重。这种情况与MOSFET 的情况相似

IGBT关断时的门极电压为反向偏置，其安全区称为反向偏置安全工作区，简写为RBSOA ,如图2-8(b)所示。RBSOA 和FBSOA 还稍有不同，RBSOA 是随着IGBT关断时重加ds/dt的改变而改变的工作区。电压dUns/dt上升率越大，安全工作区越小，它与晶闸管和GO等器件一样，过高的重加dUs/d会使IGBT导通，产生掣住效应。一般通过适当选择门源电压和门极驱动电阻即可减缓重加dUs/dt的速率，以防止掣住效应的发生。

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漏极电流ID是根据避免动态掣住效应而确定的，与此相应还确定了的门源电压Usm,只要不超过这个值，外电路发生故障时，IGBT从饱和导通状态进入放大状态，漏极电流与漏源电压无关，基本保持为恒定值，这种特性有利于通过控制门极电压使漏极电流不再增加，进而避免住效应的发生。在这种状态下应尽快关断IGBT,以避免因过度发热而导致器件损坏。比如当门源电压Ucs=10~15V时，漏极电流可在5~10us内超过额定电流4~10倍。在这种情况下仍能用反向偏置的Ucs进行关断。若超过这个界限，IGBT就有损坏的危险。

IGBT所允许的漏源电压UsM是由该器件中PNP晶体管的击穿电压确定的，目前已有耐压1200V以上的器件。IGBT的允许结温一般商用器件为150℃.功率MOSFET 的通态压降随着结温的升高而***增加，而IGBT的通态压降UpS则在室温和结温之间变化甚小，其原因是IGBT中MOSFET 部分的压降为正温度系数，而PNP晶体管部分的压降是负温度系数，两者相结合使器件获得了良好的温度特性。现以东芝公司MG25N2S1型25A/1000V的IGBT模块为例说明它的具体特性和参数，使不了解这种器件的读者有一个定性和定量的印象。该模块的额定值。在这里IGBT电极的参数采用的符号，即漏极改为集电极，源极改为发射极。