圣阳 ups蓄电池 GFMD-500C 铅酸免维护 2V500AH直流屏储能详细介绍

圣阳 ups蓄电池 GFMD-500C 铅酸免维护 2V500Ahups直流屏储能

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UPS的一般输入指标

IGBT的开通与关断是由门极电压来控制的。门极加上正向电压时，MOSFET 内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流通路，从而打开IGBT,使其进入导通状态。此时，从P区注入到N区的空穴（少数载流子）对N区进行电导调制，以减小N区的电阻R使R耐压的IGBT也具有通态电压特性。在门极上施加反向电压后，MOSFET 的沟道消失，PNP晶体管的基极电流通道被切断，从而IGBT被关断。由此可见，IGBT的驱动原理与MOSFET 基本相同IGBT的掣住效应与安全工作区。IGBT的掣住效应。IGBT在UPS中应用颇广，尤其在高频机中，整流器和逆变器已应用多时，成为UPS的主导器件。虽然IGBT已被广泛应用于功率电子设备中，它也和其他器件一样不是十全十美的，也有一定的局限性。掣住效应与安全工作区的限制就规定了它的使用范围和存在的问题。IGBT复合器件内有一个寄生晶闸管存在，它由PNP和NPN两个晶体管构成，这也正是晶闸管的等效电路。NPN晶体管的基极与发射极之间由于器件PN结结构的原因形成了一个并联的体区电阻R,在该电阻上P型体区的横向空穴流会产生一个压降。对于J3结来说，相当于加上了一个正向偏置电压，在规定的漏极电流范围内，这个正向偏压值并不大，对NPN晶体管不起作用。当漏极电流增大到一定程度时，该正偏置电压就足以使NPN晶体管开通，由于NPN晶体管的开通，为PNP晶体管的基极电流提供了通路，进而使这个管子也达到开启的程度，PNP晶体管的开通又为NPN提供了足够的基极电流，这样一个死循环雪崩式的正回馈过程使寄生晶闸管完全开通，这时即使在门极上施加负偏压也不能控制其关断，这就是所谓的掣住效应。IGBT出现犁住效应后，漏极电流因已不受控而进一步增大，***导致器件损坏。由此可知，漏极电流有一个临界值Im,大于此值的电流就会导致掣住效应。为此，器件制造厂必须规定漏极的电流值I以及与此相应的门源电压值。漏极通态电流的连续值超过IM时产生的犁住效应称为静态掣住现象。

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圣阳 ups蓄电池保有容量检测仪用途

值得指出的是，IGBT在关断的动态过程中也会产生犁住效应。动态犁住效应所允许的漏极电流比静态时小，因此，制造厂家所规定的IM值一般是按动态犁住效应所允许的漏极电流确定的。IGBT关断时，MOSFET 的关断十分迅速，IGBT的总电流也很快减小为零。与此相应，J2结上的反向电压也在迅速建立，此电压建立的快慢与IGBT所能承受的重加电压变化率dUs/dt有关dUns/dt越大，J2结上的反向电压就建立得越快；但同时Us/dt在J2结上引起的位移电流C2越大。此位移电流为空穴电流，也称作电流。当dUs/dt电流流过体区扩展电阻Rbr时，就会产生足以使NPN晶体管开通的正向偏置电压，从而满足寄生晶闸管开通掣住的条件。由此可知，动态过程中犁住现象的产生主要由dUs/dt来决定。除此之外还有温度的影响，当温度过高时PNP和NPN晶体管的泄漏电流也会使寄生晶闸管产生导通掣住的现象。